最新公告:

联系我们

 深圳市华宇晶电子科技有限公司

http://huayujing.com

http://huayujing.cn

深圳市南山区高新技术产业园中区科文路2号东一楼

邮箱:hyj@hyjic.com

地铁:深大站A3出口。深圳科技园广场50米。

高小姐0755-26001683  26008661  

手机:18123979133  

郭小姐:18138851533

传真:26001683

QQ: 3147194936 

芯片失效分析

首页>芯片失效分析

聚焦离子束成像原理

更新时间:2017-04-01  点击率:5507
         聚焦离子束的成像原理与扫描电子显微镜基本相同,都是利用探测器接受二次激发出的二次电子来成像,不同之处是以聚焦离子束代替电子束。
         聚焦离子束轰击样品表面,激发出二次电子、中性原子、二次离子和光子等,收集这些信号,经处理显示样品的表面形貌。目前聚焦离子束系统的成像分辨率已达到5nm-10nm,尽管比扫描电子显微镜低,但聚焦离子束成像具有更加真实地反映材料表面形貌的优点。当用镓离子轰击样品时,正电荷会优先集聚到绝缘区域或分立的导电区域,抑制二次电子的激发,一次样品上绝缘区域或分分立的导电区域,抑制二次电子的激发,因此样品上的绝缘区域和分立的导体区域会在离子像上颜色较暗,而接地导体会亮一些,这样就增加了离子成像的衬度。
         对于同种材料,离子束成像时,不同的晶面的二次电子、二次离子产额有较大的差别,造成各晶面所形成不同衬度的图案,利用这一原理可以对多晶材料薄膜的晶粒取向、晶界的分布和取向做出统计分析。不同材料对离子束成像的贡献差别也会有很大差别。
如您有做FIB的需求,欢迎来我公司指导交流! 
深圳市华宇晶电子科技有限公司 
 http://huayujing.com  
http://huayujing.cn  
深圳市南山区高新技术产业园中区科文路2号东一楼  
邮箱:hyj@hyjic.com  
地铁:深大站A3出口,深圳科技园广场50米
座机:0755-26001683  26008661  
手机:胡小姐:15173182572 
传真:26001683 QQ: 2467668344
下一篇: 激光开盖机 上一篇: 芯片去层

深圳市华宇晶电子科技有限公司

地址:深圳市南山区高新技术产业园中区科文路中钢大厦东
邮箱:hyj@hyjic.com
地铁:深大站A3出口。深圳科技园广场50米。
联系人:李小姐 易小姐
联系电话:0755-26001683 26008661
手机:18123979133 18138851533

Copyright 2015 深圳市华宇晶电子科技有限公司 All Rights Reserved. 最高法院:反向工程法律声明 公司团队
主营业务:芯片解密,IC解密,单片机解密,样机克隆,芯片破解等一系列服务 粤ICP备15080534号-2