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芯片去层,提图一步到位!

         作为芯片解密中最具有技术含量的工作,现阶段华宇晶已经将离子干蚀刻去层次法运用到芯片去层中,也就是金属层间杂质和多晶硅的去除。

     在芯片的反向分析设计中,首先我们需要知道各层材料或介质的特性;其次,去层时最好是只去本层而不伤损下层,这就与去层技术的选择很重要;紧接着,如果想知道去层后的电特性,方法 ,若你去层样品是孤品时,每做一步都要做好记录能照像更好。

       华宇晶科技目前主要采用的是用离子干蚀刻去层次法,相较于其他几种方式,离子干蚀刻去层次法对原文件的损伤会更小,这得益于反应离子刻蚀去层具有各向异性和刻蚀终点控制精度高等特点,因此在芯片反向分析设计中被广泛应用于金属层间介质和多晶硅的去除。
 
 
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