在IC芯片的逆向分析和反向设计中，常常需要将芯片表面的钝化层去除，以研究芯片内部结构。在集成电路芯片失效分析过程中，芯片失效位置常常位于芯片多层结构内部，因此为了准确的查找芯片失效原因，必须对芯片进行去层处理。在这个过程中，首先要解决的问题就是要去除芯片表面的钝化层材料。在破坏性物理分析工作中，按照扫描电子显微镜检查的试验要求，要对芯片的每一层金属化质量进行检查。这也要求我们必须对芯片表面及内部结构的钝化层进行去除。在集成电路可靠性研究工作中，寻找一种对金属化层无损的、对各种钝化层材料及组合材料都适宜的去除方法就显得格外重要。

    目前通常的做法是采用等离子体进行薄膜刻蚀的方法。通过高能等离子体轰击芯片表面钝化层材料，采用物理方法去除钝化层。这种做法对于SiO2, SiNx材料以及磷硅玻璃等非常方便快捷，但是对于聚酰亚胺薄膜材料，等离子体进行薄膜刻蚀往往显得无能为力。

    为了更好地研究芯片内部结构，这种显然是无法满足需求的，所以找到一种能同时对SiO2, SiNx材料，磷硅玻璃和聚酰亚胺薄膜材料钝化层进行去除的方法是十分有必要的。
    为了更好找到解决方案，很多工程也是想尽千方百计，终于找到一种芯片钝化层的去除方法，包括以下步骤:
步骤一，获得芯片钝化层成分及厚度；通过光学显微镜或能谱仪对芯片的键合区进行检查，首先获得芯片最表面钝化层的成分，其次根据键合区与周围区域的颜色和反光差异，获得键合区钝化层材料的厚度；
步骤二，对芯片以外的其他器件区域进行保护；采用化学性质稳定，不受刻蚀或腐蚀影响的薄膜材料（聚四氟乙烯）覆盖芯片以外的其他器件区域；
步骤三，判断芯片最表面钝化层的成分；如果为SiO2, SiNx或磷硅玻璃成分，则采用RIE干法刻蚀（各向同性刻蚀，采用的刻蚀气体为CF4+02，配比为2:1，刻蚀功率为80W，刻蚀压力300 MTorr。）对芯片进行处理；如果为聚酰亚胺成分，则采用酸液湿法腐蚀法（将芯片置于湿法化学开封机中，用酸液在芯片表面进行喷溅处理，不同的厚度采用不同的酸腐蚀温度为80-90°C，腐蚀时间为50-70秒。）或高能激光刻蚀法对芯片进行处理；
 步骤四，将经步骤三处理后的芯片重新通过光学显微镜或能谱仪进行检查，查看芯片表面是否还有钝化层及其成分；如果还有钝化层，则重复步骤二和三进行处理；
步骤五，清洗芯片；采用有机溶剂（无水乙醇或丙酮）对器件芯片进行清洗。